ส่วนจำนวน :
SI7949DP-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.2A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
40nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® SO-8 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® SO-8 Dual