Infineon Technologies - IPP040N06NAKSA1

KEY Part #: K6398047

IPP040N06NAKSA1 ราคา (USD) [45618ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.81948
  • 10 pcs$0.74171
  • 100 pcs$0.59604
  • 500 pcs$0.46359
  • 1,000 pcs$0.38412

ส่วนจำนวน:
IPP040N06NAKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPP040N06NAKSA1 electronic components. IPP040N06NAKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP040N06NAKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP040N06NAKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPP040N06NAKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Ta), 80A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.8V @ 50µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2700pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3W (Ta), 107W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • IRFR6215PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • IRFIZ48NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP.

  • TK10A60E,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V TO220SIS.

  • TK100A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 100A TO-220.