Diodes Incorporated - SBRT4M30LP-7

KEY Part #: K6434894

SBRT4M30LP-7 ราคา (USD) [355350ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10461
  • 3,000 pcs$0.10409
  • 6,000 pcs$0.09691
  • 15,000 pcs$0.09332

ส่วนจำนวน:
SBRT4M30LP-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SBR 30V 4A 8DFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated SBRT4M30LP-7 electronic components. SBRT4M30LP-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBRT4M30LP-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT4M30LP-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SBRT4M30LP-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : DIODE SBR 30V 4A 8DFN
ชุด : TrenchSBR
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Super Barrier
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 30V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 4A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 510mV @ 4A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 30ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 60µA @ 30V
ความจุ @ Vr, F : 150pF @ 30V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerUDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN3030-8
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAS40WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT323.

  • SDD660TR

    SMC Diode Solutions

    STANDARD RECTIFIER 600V DPAK.

  • CRS03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT. Schottky Diodes & Rectifiers SBD 1A VRRM=30V VFM=0.45V

  • 1N5395G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC.

  • 1N5393GHB0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204AC.

  • 1N5391GHB0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO204AC.