Microsemi Corporation - APT8024B2LLG

KEY Part #: K6393139

APT8024B2LLG ราคา (USD) [3649ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$13.05579

ส่วนจำนวน:
APT8024B2LLG
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT8024B2LLG electronic components. APT8024B2LLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT8024B2LLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT8024B2LLG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT8024B2LLG
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
ชุด : POWER MOS 7®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 31A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4670pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 565W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : T-MAX™ [B2]
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3 Variant

คุณอาจสนใจด้วย