Infineon Technologies - FF600R12IS4FBOSA1

KEY Part #: K6532778

[1053ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FF600R12IS4FBOSA1
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    IGBT MODULE VCES 600V 600A.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies FF600R12IS4FBOSA1 electronic components. FF600R12IS4FBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF600R12IS4FBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FF600R12IS4FBOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FF600R12IS4FBOSA1
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : IGBT MODULE VCES 600V 600A
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท IGBT : -
    องค์ประกอบ : 2 Independent
    แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
    ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 600A
    พลังงาน - สูงสุด : 3700W
    Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 3.75V @ 15V, 600A
    ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
    อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 39nF @ 25V
    อินพุต : Standard
    เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
    อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C
    ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
    แพ็คเกจ / เคส : Module
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT