Vishay Semiconductor Diodes Division - B330LA-E3/61T

KEY Part #: K6445407

B330LA-E3/61T ราคา (USD) [494455ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.07480
  • 1,800 pcs$0.06918
  • 3,600 pcs$0.06308
  • 5,400 pcs$0.05901
  • 12,600 pcs$0.05494

ส่วนจำนวน:
B330LA-E3/61T
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 3.0 Amp 30 Volt
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division B330LA-E3/61T electronic components. B330LA-E3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for B330LA-E3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

B330LA-E3/61T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : B330LA-E3/61T
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 30V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 500mV @ 3A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 500µA @ 30V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AC, SMA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.