ON Semiconductor - FDR8702H

KEY Part #: K6522999

[4312ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FDR8702H
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FDR8702H electronic components. FDR8702H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDR8702H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDR8702H คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FDR8702H
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
    ชุด : PowerTrench®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N and P-Channel
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.6A, 2.6A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 650pF @ 10V
    พลังงาน - สูงสุด : 800mW
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SuperSOT™-8

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5810TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • FDY2000PZ

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

    • BSL308CH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

    • DMN2040LTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

    • DMN2019UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

    • DMG8822UTS-13

      Diodes Incorporated

      MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.