ส่วนจำนวน :
APTGT50H60T2G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
MOD IGBT 600V 80A SP2
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
องค์ประกอบ :
Full Bridge Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
80A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
1.9V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
3.15nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP2