Microsemi Corporation - JANTX1N6622

KEY Part #: K6425034

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6622 electronic components. JANTX1N6622 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6622, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : JANTX1N6622

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

ชุด : Military, MIL-PRF-19500/585

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภทไดโอด : Standard

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 660V

ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 2A

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 1.2A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 30ns

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 500nA @ 660V

ความจุ @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz

ประเภทการติดตั้ง : Through Hole

แพ็คเกจ / เคส : A, Axial

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier