ON Semiconductor - BSS123LT1G

KEY Part #: K6421379

BSS123LT1G ราคา (USD) [1755611ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02107
  • 3,000 pcs$0.01961

ส่วนจำนวน:
BSS123LT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor BSS123LT1G electronic components. BSS123LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS123LT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSS123LT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 170mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.8V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 20pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 225mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3 (TO-236)
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย