Infineon Technologies - IPL65R725CFDAUMA1

KEY Part #: K6401836

[2912ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPL65R725CFDAUMA1
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 4VSON.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPL65R725CFDAUMA1 electronic components. IPL65R725CFDAUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPL65R725CFDAUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPL65R725CFDAUMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPL65R725CFDAUMA1
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 4VSON
    ชุด : CoolMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.8A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 725 mOhm @ 2.1A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 200µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 615pF @ 100V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 62.5W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Thin-Pak (8x8)
    แพ็คเกจ / เคส : 4-PowerTSFN

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • IRFI1010NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

    • SSM3J304T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

    • SSM3J306T(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.