Infineon Technologies - FF600R12KE4EBOSA1

KEY Part #: K6532506

FF600R12KE4EBOSA1 ราคา (USD) [470ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$98.85828

ส่วนจำนวน:
FF600R12KE4EBOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies FF600R12KE4EBOSA1 electronic components. FF600R12KE4EBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF600R12KE4EBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF600R12KE4EBOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FF600R12KE4EBOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
ชุด : C
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 600A
พลังงาน - สูงสุด : -
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 600A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 38nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.