Vishay Semiconductor Diodes Division - CPV362M4F

KEY Part #: K6532531

CPV362M4F ราคา (USD) [2669ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$16.22361
  • 160 pcs$15.45105

ส่วนจำนวน:
CPV362M4F
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division CPV362M4F electronic components. CPV362M4F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CPV362M4F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CPV362M4F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CPV362M4F
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 8.8A
พลังงาน - สูงสุด : 23W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 1.66V @ 15V, 8.8A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 250µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 0.34nF @ 30V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : 19-SIP (13 Leads), IMS-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : IMS-2

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.