Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3D V6G

KEY Part #: K6426615

ESH3D V6G ราคา (USD) [721615ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05126

ส่วนจำนวน:
ESH3D V6G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB. Rectifiers 25ns 3A 200V UlFst Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D V6G electronic components. ESH3D V6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3D V6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3D V6G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : ESH3D V6G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : -
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 20ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : 45pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AB, SMC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • NRVTSA4100T3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 4A 100V SMA-2. Schottky Diodes & Rectifiers AUTO STANDARD OF NTS

  • NRVBS360BT3G

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMB. Schottky Diodes & Rectifiers 3A 60V SCHOTTKY SMB

  • MUR110RLG

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. Rectifiers 100V 1A UltraFast

  • RS1BB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 100V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 100V

  • RS2M-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMB. Rectifiers 2.0A 1000V

  • RS1GB-13-F

    Diodes Incorporated

    DIODE GEN PURP 400V 1A SMB. Rectifiers 1.0A 400V