ON Semiconductor - FGA30N120FTDTU

KEY Part #: K6422550

FGA30N120FTDTU ราคา (USD) [13999ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.94388
  • 10 pcs$2.64332
  • 100 pcs$2.16560
  • 500 pcs$1.84354
  • 1,000 pcs$1.55479

ส่วนจำนวน:
FGA30N120FTDTU
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 1200V 60A 339W TO3P.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FGA30N120FTDTU electronic components. FGA30N120FTDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGA30N120FTDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA30N120FTDTU คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FGA30N120FTDTU
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : IGBT 1200V 60A 339W TO3P
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 60A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) : 90A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
พลังงาน - สูงสุด : 339W
การสลับพลังงาน : -
ประเภทอินพุต : Standard
ค่าประตู : 208nC
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c : -
ทดสอบสภาพ : -
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 730ns
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3PN

คุณอาจสนใจด้วย