ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
250mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.3V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
15pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
UMT6