ON Semiconductor - NTMD2C02R2SG

KEY Part #: K6523567

[4122ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NTMD2C02R2SG
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor NTMD2C02R2SG electronic components. NTMD2C02R2SG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMD2C02R2SG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTMD2C02R2SG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NTMD2C02R2SG
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N and P-Channel
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.2A, 3.4A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 4A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.2V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1100pF @ 10V
    พลังงาน - สูงสุด : 2W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOIC

    คุณอาจสนใจด้วย