ส่วนจำนวน :
NTMFD4C87NT1G
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
สถานะส่วนหนึ่ง :
Last Time Buy
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
11.7A, 14.9A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
22.2nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1252pF @ 15V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerTDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-DFN (5x6)