ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.8A, 2.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
12.3nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
422pF @ 15V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TSOT-26