ON Semiconductor - NVMFS4C01NT3G

KEY Part #: K6419490

NVMFS4C01NT3G ราคา (USD) [114534ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.32455
  • 5,000 pcs$0.32294

ส่วนจำนวน:
NVMFS4C01NT3G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS4C01NT3G electronic components. NVMFS4C01NT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS4C01NT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS4C01NT3G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NVMFS4C01NT3G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 49A (Ta), 319A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 10144pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3.84W (Ta), 161W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย