Toshiba Semiconductor and Storage - TK8P60W,RVQ

KEY Part #: K6419111

TK8P60W,RVQ ราคา (USD) [91758ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.45426
  • 2,000 pcs$0.45200

ส่วนจำนวน:
TK8P60W,RVQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 600V 8A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK8P60W,RVQ electronic components. TK8P60W,RVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8P60W,RVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8P60W,RVQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK8P60W,RVQ
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N CH 600V 8A DPAK
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.7V @ 400µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 570pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : Super Junction
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 80W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย