Diodes Incorporated - DMN3032LFDBQ-7

KEY Part #: K6523114

DMN3032LFDBQ-7 ราคา (USD) [446296ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.08288
  • 3,000 pcs$0.07418

ส่วนจำนวน:
DMN3032LFDBQ-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3032LFDBQ-7 electronic components. DMN3032LFDBQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3032LFDBQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3032LFDBQ-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN3032LFDBQ-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.2A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 500pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 1W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 6-UDFN Exposed Pad
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN2020-6 (Type B)

คุณอาจสนใจด้วย
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI7949DP-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8.