ส่วนจำนวน :
DMG9933USD-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.6A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
608.4pF @ 6V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO