ผู้ผลิต :
STMicroelectronics
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
110nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4200pF @ 100V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.8W (Ta), 189W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerFlat™ (8x8) HV
แพ็คเกจ / เคส :
8-PowerVDFN