Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J56MFV,L3F

KEY Part #: K6419288

SSM3J56MFV,L3F ราคา (USD) [1298908ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.04473
  • 8,000 pcs$0.04451

ส่วนจำนวน:
SSM3J56MFV,L3F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV,L3F electronic components. SSM3J56MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J56MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J56MFV,L3F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSM3J56MFV,L3F
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
ชุด : U-MOSVI
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 800mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 390 mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 100pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : VESM
แพ็คเกจ / เคส : SOT-723

คุณอาจสนใจด้วย