BYG10J-M3/TR ราคา (USD) [742232ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$0.05071
- 12,600 pcs$0.05046
- ส่วนจำนวน:
- BYG10J-M3/TR
- ผู้ผลิต:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR electronic components. BYG10J-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10J-M3/TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
BYG10J-M3/TR
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Avalanche
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
1.5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.15V @ 1.5A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
4µs
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
1µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-214AC, SMA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C
ข่าวล่าสุด
คุณอาจสนใจด้วย
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM
-
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
-
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA
-
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA
อะไหล่ร้อน
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08