Infineon Technologies - BSC520N15NS3GATMA1

KEY Part #: K6416411

BSC520N15NS3GATMA1 ราคา (USD) [133813ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.27641
  • 5,000 pcs$0.22445

ส่วนจำนวน:
BSC520N15NS3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 electronic components. BSC520N15NS3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC520N15NS3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC520N15NS3GATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSC520N15NS3GATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 21A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 35µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 890pF @ 75V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 57W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TDSON-8
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN

คุณอาจสนใจด้วย
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.