Infineon Technologies - IPB120N08S403ATMA1

KEY Part #: K6418107

IPB120N08S403ATMA1 ราคา (USD) [51682ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.75655
  • 1,000 pcs$0.69410

ส่วนจำนวน:
IPB120N08S403ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPB120N08S403ATMA1 electronic components. IPB120N08S403ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB120N08S403ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB120N08S403ATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPB120N08S403ATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH TO263-3
ชุด : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 223µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 167nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 11550pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 278W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO263-3-2
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย
  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH TO-252.

  • IRFI3306GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A TO220.

  • SPA16N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP.

  • IPA60R299CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • TK6A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.