ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
1600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.2V @ 1A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
10µA @ 1600V
ความจุ @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-213AB, MELF (Glass)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-213AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 175°C