ON Semiconductor - HUF76407D3ST

KEY Part #: K6403179

HUF76407D3ST ราคา (USD) [273733ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.13580
  • 2,500 pcs$0.13512

ส่วนจำนวน:
HUF76407D3ST
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - RF and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor HUF76407D3ST electronic components. HUF76407D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76407D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUF76407D3ST คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : HUF76407D3ST
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
ชุด : UltraFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 92 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 350pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 38W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252AA
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63