ส่วนจำนวน :
FGA30N60LSDTU
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
60A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
90A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
1.4V @ 15V, 30A
การสลับพลังงาน :
1.1mJ (on), 21mJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
18ns/250ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 30A, 6.8 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
35ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3P