ลักษณะ :
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
850V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
7nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
247pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220AB (IXFP)