ส่วนจำนวน :
SI4816DY-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
5.3A, 7.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
12nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
พลังงาน - สูงสุด :
1W, 1.25W
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO