Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-GE3

KEY Part #: K6524086

[3949ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI4947ADY-T1-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3 electronic components. SI4947ADY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4947ADY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4947ADY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI4947ADY-T1-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.9A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8nC @ 5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    พลังงาน - สูงสุด : 1.2W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

    คุณอาจสนใจด้วย