IXYS - IXFX120N30T

KEY Part #: K6394691

IXFX120N30T ราคา (USD) [9959ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.80402
  • 10 pcs$5.22274
  • 100 pcs$4.29418
  • 500 pcs$3.59781

ส่วนจำนวน:
IXFX120N30T
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFX120N30T electronic components. IXFX120N30T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX120N30T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX120N30T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFX120N30T
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
ชุด : GigaMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 300V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 265nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 20000pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 960W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS247™-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3