ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
9.7A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
13.2nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1333pF @ 20V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220AB