ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
500mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.3V @ 500mA
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
150ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
5µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
DO-213AA (Glass)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DO-213AA (GL34)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 175°C