ลักษณะ :
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
เทคโนโลยี :
SiCFET (Silicon Carbide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.8V @ 1.25mA (Typ)
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
20.4nC @ 20V
Vgs (สูงสุด) :
+25V, -10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
259pF @ 1000V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
62.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247-3