ON Semiconductor - 2N7002ET1G

KEY Part #: K6421463

2N7002ET1G ราคา (USD) [2578478ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01434
  • 3,000 pcs$0.01054

ส่วนจำนวน:
2N7002ET1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor 2N7002ET1G electronic components. 2N7002ET1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N7002ET1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7002ET1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 2N7002ET1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 260mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 0.81nC @ 5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 26.7pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300mW (Tj)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3 (TO-236)
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย