ON Semiconductor - FDMS3686S

KEY Part #: K6523050

FDMS3686S ราคา (USD) [125954ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.29513
  • 3,000 pcs$0.29366

ส่วนจำนวน:
FDMS3686S
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDMS3686S electronic components. FDMS3686S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS3686S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS3686S คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDMS3686S
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
ชุด : PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 13A, 23A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.7V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 29nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1785pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 1W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerTDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Power56

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.