Vishay Siliconix - SI7223DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523024

SI7223DN-T1-GE3 ราคา (USD) [211203ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.17513

ส่วนจำนวน:
SI7223DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI7223DN-T1-GE3 electronic components. SI7223DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7223DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7223DN-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI7223DN-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
ชุด : TrenchFET® Gen III
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 26.4 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 40nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1425pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® 1212-8 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® 1212-8 Dual

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.