Diodes Incorporated - 1N5408G-T

KEY Part #: K6454916

1N5408G-T ราคา (USD) [714995ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05173
  • 1,200 pcs$0.04699
  • 2,400 pcs$0.04307
  • 6,000 pcs$0.04046
  • 12,000 pcs$0.03785
  • 30,000 pcs$0.03472

ส่วนจำนวน:
1N5408G-T
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 1000V
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated 1N5408G-T electronic components. 1N5408G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5408G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5408G-T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 1N5408G-T
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1000V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 3A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 2µs
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 1000V
ความจุ @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : DO-201AD, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-201AD
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • CSD01060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE

  • BAS19-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V

  • BAS116E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • C3D10060G

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A

  • VS-50WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ06FNHM3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3