ON Semiconductor - FDH300ATR

KEY Part #: K6454507

FDH300ATR ราคา (USD) [3236035ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01206
  • 20,000 pcs$0.01200

ส่วนจำนวน:
FDH300ATR
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Low Leakage
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDH300ATR electronic components. FDH300ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDH300ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDH300ATR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDH300ATR
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 125V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 200mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 200mA
ความเร็ว : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1nA @ 125V
ความจุ @ Vr, F : 6pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : DO-204AH, DO-35, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-35
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 175°C (Max)

คุณอาจสนใจด้วย
  • SBRD10200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A DPAK.

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM11-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated