ON Semiconductor - FDU6512A

KEY Part #: K6411282

[13845ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FDU6512A
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FDU6512A electronic components. FDU6512A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDU6512A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDU6512A คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FDU6512A
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
    ชุด : PowerTrench®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10.7A (Ta), 36A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±12V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1082pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3.8W (Ta), 43W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I-PAK
    แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVN0124Z

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • ZVN0124ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • ZVN0124ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

    • VN10LPSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • VN10LPSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • BS250PSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3.