IXYS-RF - IXFT12N100F

KEY Part #: K6397792

IXFT12N100F ราคา (USD) [7792ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$6.45185
  • 10 pcs$5.86572
  • 100 pcs$4.98586
  • 500 pcs$4.25265

ส่วนจำนวน:
IXFT12N100F
ผู้ผลิต:
IXYS-RF
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS-RF IXFT12N100F electronic components. IXFT12N100F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT12N100F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT12N100F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFT12N100F
ผู้ผลิต : IXYS-RF
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
ชุด : HiPerRF™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 4mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2700pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-268 (IXFT)
แพ็คเกจ / เคส : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.

  • TK32A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 32A TO-220.