ส่วนจำนวน :
SI1078X-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.02A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
142 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
110pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
240mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
-
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666