ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
PT8 N 30V/20V MOSFET
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
6.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
710pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
700mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SuperSOT™-6
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6