Infineon Technologies - BSM100GD120DLCBOSA1

KEY Part #: K6533979

BSM100GD120DLCBOSA1 ราคา (USD) [383ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$121.22283

ส่วนจำนวน:
BSM100GD120DLCBOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSM100GD120DLCBOSA1 electronic components. BSM100GD120DLCBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM100GD120DLCBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM100GD120DLCBOSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSM100GD120DLCBOSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท IGBT : NPT
องค์ประกอบ : Single
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100A
พลังงาน - สูงสุด : -
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 12.2µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 6.5nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module