ส่วนจำนวน :
BSM100GD120DLCBOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
12.2µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
6.5nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module