ON Semiconductor - NTD14N03RT4

KEY Part #: K6413887

[12944ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NTD14N03RT4
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor NTD14N03RT4 electronic components. NTD14N03RT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD14N03RT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD14N03RT4 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NTD14N03RT4
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 25V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.5A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 1.8nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 115pF @ 20V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR3706

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.

    • IRLR9343PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 20A DPAK.