ผู้ผลิต :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
27A (Ta), 32A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
40nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1975pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET :
Schottky Diode (Body)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
4.1W (Ta), 41W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-DFN (5x6)
แพ็คเกจ / เคส :
8-VDFN Exposed Pad